RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
3327
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link