RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
3668
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link