RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2106
2088
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link