RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
20
Prędkość odczytu, GB/s
17.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3077
3395
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link