RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
31
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3077
2762
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link