RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
39
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
39
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2852
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link