RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
35
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
35
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2701
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link