RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
35
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
35
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2701
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link