Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    17 left arrow 26
    Wokół strony 35% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    22.8 left arrow 18.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    17.3 left arrow 15.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    17 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    22.8 left arrow 18.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    15.4 left arrow 17.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3391 left arrow 3938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania