RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
22
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3116
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link