RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
66
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
66
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
1909
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link