RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
32
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
32
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
1424
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link