RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
35
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
35
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2559
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link