RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
25
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2871
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link