RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
24
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
24
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3950
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link