RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
35
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
35
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3147
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link