RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
32
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
32
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2370
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link