RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
22
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
22
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3264
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link