RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
25
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3297
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link