RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
43
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
43
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2501
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link