RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
18
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
18
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3529
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link