RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
44
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
44
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2191
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link