RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
29
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3014
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link