RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3460
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link