RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3119
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link