RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3036
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link