RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3260
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link