RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2234
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link