RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2443
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link