RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2829
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link