RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
44
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2191
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link