RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3029
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link