RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VS1GB800D2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,361.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,680.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,361.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
460
3061
Corsair VS1GB800D2 1GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link