RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
20.1
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
16.7
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3759
3432
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Inmos + 256MB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link