RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
2080
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link