RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
3086
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link