RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
34
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
3036
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link