RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
1997
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link