RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
2382
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link