RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3649
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link