RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2731
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link