RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2616
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link