RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3663
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link