RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3702
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5402-027.A01LF 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link