RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3519
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link