RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
1548
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link