RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2605
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link