RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
42
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2352
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link