RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2417
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link