RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2594
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link