RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
1989
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link